MKI75-06A7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MKI75-06A7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 190 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
MKI75-06A7 Datasheet (PDF)
mki75-06a7.pdf
MKI 75-06 A7MKI 75-06 A7TIC25 = 90 AIGBT ModulesVCES = 600 VH-BridgeVCE(sat) typ.= 2.1 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13Type: NTC - Option:T1 T5D1 D51 9MKI 75-06 A7 without NTCT2MKI 75-06 A7T with NTC 101614T6T2 D2T D6B33 1112417Features IGBTs NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltag
mki75-06a7t.pdf
MKI 75-06 A7MKI 75-06 A7TIC25 = 90 AIGBT ModulesVCES = 600 VH-BridgeVCE(sat) typ.= 2.1 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13Type: NTC - Option:T1 T5D1 D51 9MKI 75-06 A7 without NTCT2MKI 75-06 A7T with NTC 101614T6T2 D2T D6B33 1112417Features IGBTs NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltag
Otros transistores... MIXA81H1200EH , IGC70T120T8RQ , MKI100-12E8 , MKI100-12F8 , MKI50-06A7 , MKI50-06A7T , MKI50-12E7 , MKI50-12F7 , IRGB20B60PD1 , MKI75-06A7T , MKI75-12E8 , MKI80-06T6K , MMIX1G320N60B3 , MMIX1G75N250 , MMIX4G20N250 , MUBW100-06A8 , MUBW10-06A6K .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096