Справочник IGBT. MKI75-06A7

 

MKI75-06A7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MKI75-06A7
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MKI75-06A7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  ixys
 mki75-06a7.pdf pdf_icon

MKI75-06A7

MKI 75-06 A7MKI 75-06 A7TIC25 = 90 AIGBT ModulesVCES = 600 VH-BridgeVCE(sat) typ.= 2.1 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13Type: NTC - Option:T1 T5D1 D51 9MKI 75-06 A7 without NTCT2MKI 75-06 A7T with NTC 101614T6T2 D2T D6B33 1112417Features IGBTs NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltag

 0.1. Size:110K  ixys
 mki75-06a7t.pdf pdf_icon

MKI75-06A7

MKI 75-06 A7MKI 75-06 A7TIC25 = 90 AIGBT ModulesVCES = 600 VH-BridgeVCE(sat) typ.= 2.1 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13Type: NTC - Option:T1 T5D1 D51 9MKI 75-06 A7 without NTCT2MKI 75-06 A7T with NTC 101614T6T2 D2T D6B33 1112417Features IGBTs NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltag

Другие IGBT... MIXA81H1200EH , IGC70T120T8RQ , MKI100-12E8 , MKI100-12F8 , MKI50-06A7 , MKI50-06A7T , MKI50-12E7 , MKI50-12F7 , IRGB20B60PD1 , MKI75-06A7T , MKI75-12E8 , MKI80-06T6K , MMIX1G320N60B3 , MMIX1G75N250 , MMIX4G20N250 , MUBW100-06A8 , MUBW10-06A6K .

History: IXSQ10N60B2D1 | HGTP12N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.