MKI80-06T6K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MKI80-06T6K
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 210 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 89 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 470 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
MKI80-06T6K Datasheet (PDF)
mki80-06t6k.pdf

MKI 80-06T6KIC25 = 89 AIGBT ModulesVCES = 600 VH-BridgeVCE(sat) typ. = 1.8 VTrench IGBTPreliminary dataPart name (Marking on product)MKI 80-06T6K10/17/18/2315 21816 2211/1219/205 176 23/4/9/24Features: Application: Package: Trench IGBT technology AC motor control Industry standard E1-pack Low saturation voltage AC servo and robot dri
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History: IXGK120N120B3 | IXSP24N60B | HIL40N120VF | IXGP15N120C | IXST24N60B | MMG100DR120B | NSGM100GB120
History: IXGK120N120B3 | IXSP24N60B | HIL40N120VF | IXGP15N120C | IXST24N60B | MMG100DR120B | NSGM100GB120



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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