MKI80-06T6K Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MKI80-06T6K
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 89 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 470 nC
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MKI80-06T6K Datasheet (PDF)
mki80-06t6k.pdf

MKI 80-06T6KIC25 = 89 AIGBT ModulesVCES = 600 VH-BridgeVCE(sat) typ. = 1.8 VTrench IGBTPreliminary dataPart name (Marking on product)MKI 80-06T6K10/17/18/2315 21816 2211/1219/205 176 23/4/9/24Features: Application: Package: Trench IGBT technology AC motor control Industry standard E1-pack Low saturation voltage AC servo and robot dri
Другие IGBT... MKI100-12F8 , MKI50-06A7 , MKI50-06A7T , MKI50-12E7 , MKI50-12F7 , MKI75-06A7 , MKI75-06A7T , MKI75-12E8 , MBQ50T65FESC , MMIX1G320N60B3 , MMIX1G75N250 , MMIX4G20N250 , MUBW100-06A8 , MUBW10-06A6K , MUBW10-06A7 , MUBW10-12A7 , MUBW15-06A6K .
History: SGP23N60UF
History: SGP23N60UF



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent