1MB30-060 Todos los transistores

 

1MB30-060 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1MB30-060
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 180 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 48 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 400 pF
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

1MB30-060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  fuji
1mb30-060.pdf pdf_icon

1MB30-060

1MB30-060,1MBH30D-060,Molded IGBT600V / 30AMolded PackageFeatures Small molded package Low power loss Soft switching with low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Comprehensive line-upApplications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supplyEquivalent Circuit Schematic

Otros transistores... 1MB05D-120 , 1MB08-120 , 1MB08D-120 , 1MB10-120 , 1MB10D-120 , 1MB15D-060 , 1MB20-060 , 1MB20D-060 , IHW20N120R3 , 1MBC03-120 , 1MBC05-060 , 1MBC05D-060 , 1MBC10-060 , 1MBC10D-060 , 1MBC15-060 , 1MBG05D-060 , 1MBG10D-060 .

 

 
Back to Top

 


1MB30-060
  1MB30-060
  1MB30-060
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44

 


 
.