1MB30-060 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 1MB30-060
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
Тип корпуса: TO3P
- подбор IGBT транзистора по параметрам
1MB30-060 Datasheet (PDF)
1mb30-060.pdf

1MB30-060,1MBH30D-060,Molded IGBT600V / 30AMolded PackageFeatures Small molded package Low power loss Soft switching with low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Comprehensive line-upApplications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supplyEquivalent Circuit Schematic
Другие IGBT... 1MB05D-120 , 1MB08-120 , 1MB08D-120 , 1MB10-120 , 1MB10D-120 , 1MB15D-060 , 1MB20-060 , 1MB20D-060 , IHW20N120R3 , 1MBC03-120 , 1MBC05-060 , 1MBC05D-060 , 1MBC10-060 , 1MBC10D-060 , 1MBC15-060 , 1MBG05D-060 , 1MBG10D-060 .
History: HGT1S3N60B3S | DM2G150SH6NE | MMG200D120B6UC | CM50YE13-12H | CM100RL-24NF | MMG400D120B6TC | CM600DXL-24S
History: HGT1S3N60B3S | DM2G150SH6NE | MMG200D120B6UC | CM50YE13-12H | CM100RL-24NF | MMG400D120B6TC | CM600DXL-24S



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44