1MB30-060 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: 1MB30-060  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для 1MB30-060

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MB30-060 даташит

 ..1. Size:64K  fuji
 1mb30-060.pdf pdf_icon

1MB30-060

1MB30-060,1MBH30D-060, Molded IGBT 600V / 30A Molded Package Features Small molded package Low power loss Soft switching with low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Comprehensive line-up Applications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supply Equivalent Circuit Schematic

Другие IGBT... 1MB05D-120, 1MB08-120, 1MB08D-120, 1MB10-120, 1MB10D-120, 1MB15D-060, 1MB20-060, 1MB20D-060, RJP30H1DPD, 1MBC03-120, 1MBC05-060, 1MBC05D-060, 1MBC10-060, 1MBC10D-060, 1MBC15-060, 1MBG05D-060, 1MBG10D-060