Справочник IGBT. 1MB30-060

 

1MB30-060 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 1MB30-060
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 1MB30-060

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MB30-060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  fuji
 1mb30-060.pdf pdf_icon

1MB30-060

1MB30-060,1MBH30D-060,Molded IGBT600V / 30AMolded PackageFeatures Small molded package Low power loss Soft switching with low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Comprehensive line-upApplications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supplyEquivalent Circuit Schematic

Другие IGBT... 1MB05D-120 , 1MB08-120 , 1MB08D-120 , 1MB10-120 , 1MB10D-120 , 1MB15D-060 , 1MB20-060 , 1MB20D-060 , BT40T60ANF , 1MBC03-120 , 1MBC05-060 , 1MBC05D-060 , 1MBC10-060 , 1MBC10D-060 , 1MBC15-060 , 1MBG05D-060 , 1MBG10D-060 .

History: SRE80N065FSU

 

 
Back to Top

 


 
.