1MB30-060 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 1MB30-060
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
Тип корпуса: TO3P
1MB30-060 Datasheet (PDF)
1mb30-060.pdf
1MB30-060,1MBH30D-060,Molded IGBT600V / 30AMolded PackageFeatures Small molded package Low power loss Soft switching with low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Comprehensive line-upApplications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supplyEquivalent Circuit Schematic
Другие IGBT... 1MB05D-120 , 1MB08-120 , 1MB08D-120 , 1MB10-120 , 1MB10D-120 , 1MB15D-060 , 1MB20-060 , 1MB20D-060 , RJP63F3DPP-M0 , 1MBC03-120 , 1MBC05-060 , 1MBC05D-060 , 1MBC10-060 , 1MBC10D-060 , 1MBC15-060 , 1MBG05D-060 , 1MBG10D-060 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2