MWI25-12A7T Todos los transistores

 

MWI25-12A7T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MWI25-12A7T

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 1200V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.2V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: E2

Búsqueda de reemplazo de MWI25-12A7T - IGBT

 

MWI25-12A7T Datasheet (PDF)

1.1. mwi25-12a7t.pdf Size:204K _igbt

MWI25-12A7T
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MWI 25-12A7(T) IC25 = 50 A IGBT Module VCES = 1200 V Sixpack VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Part name (Marking on product) MWI25-12A7 MWI25-12A7T 13 5 9 1 T version T 6 10 2 16 15 14 E72873 T Pin configuration see outlines. 7 11 3 8 12 4 17 Features: Application: Package: • NPT IGBT technology • AC motor control • UL registered

1.2. mwi25-12a7.pdf Size:204K _igbt

MWI25-12A7T
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MWI 25-12A7(T) IC25 = 50 A IGBT Module VCES = 1200 V Sixpack VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Part name (Marking on product) MWI25-12A7 MWI25-12A7T 13 5 9 1 T version T 6 10 2 16 15 14 E72873 T Pin configuration see outlines. 7 11 3 8 12 4 17 Features: Application: Package: • NPT IGBT technology • AC motor control • UL registered

 

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