MWI25-12A7T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MWI25-12A7T
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MWI25-12A7T Datasheet (PDF)
mwi25-12a7t.pdf
MWI 25-12A7(T)IC25 = 50 AIGBT ModuleVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 2.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAPart name (Marking on product)MWI25-12A7MWI25-12A7T135 91T versionT6 102161514E72873T Pin configuration see outlines.7 1138 12417Features: Application: Package: NPT IGBT technology AC motor control UL registered
mwi25-12a7.pdf
MWI 25-12A7(T)IC25 = 50 AIGBT ModuleVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 2.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAPart name (Marking on product)MWI25-12A7MWI25-12A7T135 91T versionT6 102161514E72873T Pin configuration see outlines.7 1138 12417Features: Application: Package: NPT IGBT technology AC motor control UL registered
Другие IGBT... MWI150-06A8 , MWI150-12T8T , MWI15-12A6K , MWI15-12A7 , MWI200-06A8 , MWI225-12E9 , MWI225-17E9 , MWI25-12A7 , GT30G124 , MWI25-12E7 , MWI300-12E9 , MWI300-17E9 , MWI30-06A7 , MWI30-06A7T , MWI30-12E6K , MWI35-12A7 , MWI35-12T7T .
History: MWI100-12A8 | HGT1S20N60C3RS9A | HGT1S20N60C3RS | SGB20N60 | HGT1S20N60C3R
History: MWI100-12A8 | HGT1S20N60C3RS9A | HGT1S20N60C3RS | SGB20N60 | HGT1S20N60C3R
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor