MWI30-06A7T Todos los transistores

 

MWI30-06A7T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MWI30-06A7T

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.9V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 45A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: E2Pack

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MWI30-06A7T Datasheet (PDF)

1.1. mwi30-06a7.pdf Size:102K _igbt

MWI30-06A7T
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MWI 30-06 A7 MWI 30-06 A7T IC25 = 45 A IGBT Modules VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ. = 1.9 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 1 5 9 Type: NTC - Option: T 2 6 10 NTC 16 MWI 30-06 A7 without NTC 15 14 MWI 30-06 A7T with NTC 3 7 11 E72873 T 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 17 Features IGBTs ● NPT IGBT technology ● Symbol Conditions Max

1.2. mwi30-06a7t.pdf Size:102K _igbt

MWI30-06A7T
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MWI 30-06 A7 MWI 30-06 A7T IC25 = 45 A IGBT Modules VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ. = 1.9 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 1 5 9 Type: NTC - Option: T 2 6 10 NTC 16 MWI 30-06 A7 without NTC 15 14 MWI 30-06 A7T with NTC 3 7 11 E72873 T 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 17 Features IGBTs ● NPT IGBT technology ● Symbol Conditions Max

 

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