MWI30-06A7T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MWI30-06A7T
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 150 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MWI30-06A7T
MWI30-06A7T Datasheet (PDF)
mwi30-06a7t.pdf
MWI 30-06 A7MWI 30-06 A7TIC25 = 45 AIGBT ModulesVCES = 600 VSixpackVCE(sat) typ. = 1.9 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA131 5 9Type: NTC - Option:T2 6 10NTC16MWI 30-06 A7 without NTC1514MWI 30-06 A7T with NTC3 7 11 E72873T4 8 12See outline drawing for pin arrangement17Features IGBTsNPT IGBT technologySymbol Conditions Max
mwi30-06a7.pdf
MWI 30-06 A7MWI 30-06 A7TIC25 = 45 AIGBT ModulesVCES = 600 VSixpackVCE(sat) typ. = 1.9 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA131 5 9Type: NTC - Option:T2 6 10NTC16MWI 30-06 A7 without NTC1514MWI 30-06 A7T with NTC3 7 11 E72873T4 8 12See outline drawing for pin arrangement17Features IGBTsNPT IGBT technologySymbol Conditions Max
Другие IGBT... MWI225-12E9 , MWI225-17E9 , MWI25-12A7 , MWI25-12A7T , MWI25-12E7 , MWI300-12E9 , MWI300-17E9 , MWI30-06A7 , IRGP4063D , MWI30-12E6K , MWI35-12A7 , MWI35-12T7T , MWI450-12E9 , MWI451-17E9 , MWI45-12T6K , MWI50-06A7 , MWI50-06A7T .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2