MWI30-12E6K Todos los transistores

 

MWI30-12E6K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MWI30-12E6K
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 29 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Paquete / Cubierta: MODULE

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MWI30-12E6K Datasheet (PDF)

 8.1. Size:102K  ixys
 mwi30-06a7t.pdf pdf_icon

MWI30-12E6K

MWI 30-06 A7 MWI 30-06 A7T IC25 = 45 A IGBT Modules VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ. = 1.9 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 1 5 9 Type NTC - Option T 2 6 10 NTC 16 MWI 30-06 A7 without NTC 15 14 MWI 30-06 A7T with NTC 3 7 11 E72873 T 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 17 Features IGBTs NPT IGBT technology Symbol Conditions Max

 8.2. Size:102K  ixys
 mwi30-06a7.pdf pdf_icon

MWI30-12E6K

MWI 30-06 A7 MWI 30-06 A7T IC25 = 45 A IGBT Modules VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ. = 1.9 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 1 5 9 Type NTC - Option T 2 6 10 NTC 16 MWI 30-06 A7 without NTC 15 14 MWI 30-06 A7T with NTC 3 7 11 E72873 T 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 17 Features IGBTs NPT IGBT technology Symbol Conditions Max

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