MWI30-12E6K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MWI30-12E6K 📄📄
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 29 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
Encapsulados: MODULE
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Búsqueda de reemplazo de MWI30-12E6K IGBT
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MWI30-12E6K datasheet
mwi30-06a7t.pdf
MWI 30-06 A7 MWI 30-06 A7T IC25 = 45 A IGBT Modules VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ. = 1.9 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 1 5 9 Type NTC - Option T 2 6 10 NTC 16 MWI 30-06 A7 without NTC 15 14 MWI 30-06 A7T with NTC 3 7 11 E72873 T 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 17 Features IGBTs NPT IGBT technology Symbol Conditions Max
mwi30-06a7.pdf
MWI 30-06 A7 MWI 30-06 A7T IC25 = 45 A IGBT Modules VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ. = 1.9 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 1 5 9 Type NTC - Option T 2 6 10 NTC 16 MWI 30-06 A7 without NTC 15 14 MWI 30-06 A7T with NTC 3 7 11 E72873 T 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 17 Features IGBTs NPT IGBT technology Symbol Conditions Max
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History: APTGF50DA120T | 2SH18
🌐 : EN ES РУ
Liste
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