MWI30-12E6K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MWI30-12E6K  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 29 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MWI30-12E6K

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MWI30-12E6K даташит

 8.1. Size:102K  ixys
 mwi30-06a7t.pdf pdf_icon

MWI30-12E6K

MWI 30-06 A7 MWI 30-06 A7T IC25 = 45 A IGBT Modules VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ. = 1.9 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 1 5 9 Type NTC - Option T 2 6 10 NTC 16 MWI 30-06 A7 without NTC 15 14 MWI 30-06 A7T with NTC 3 7 11 E72873 T 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 17 Features IGBTs NPT IGBT technology Symbol Conditions Max

 8.2. Size:102K  ixys
 mwi30-06a7.pdf pdf_icon

MWI30-12E6K

MWI 30-06 A7 MWI 30-06 A7T IC25 = 45 A IGBT Modules VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ. = 1.9 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 1 5 9 Type NTC - Option T 2 6 10 NTC 16 MWI 30-06 A7 without NTC 15 14 MWI 30-06 A7T with NTC 3 7 11 E72873 T 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 17 Features IGBTs NPT IGBT technology Symbol Conditions Max

Другие IGBT... MWI225-17E9, MWI25-12A7, MWI25-12A7T, MWI25-12E7, MWI300-12E9, MWI300-17E9, MWI30-06A7, MWI30-06A7T, G50T65D, MWI35-12A7, MWI35-12T7T, MWI450-12E9, MWI451-17E9, MWI45-12T6K, MWI50-06A7, MWI50-06A7T, MWI50-12A7