MWI451-17E9 Todos los transistores

 

MWI451-17E9 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MWI451-17E9

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 580 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.25 V @25℃

Encapsulados: MODULE

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MWI451-17E9 datasheet

 ..1. Size:145K  ixys
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MWI451-17E9

MWI 451-17 E9 IC60 = 475 A IGBT Modules VCES = 1700 V Sixpack VCE(sat) typ = 2.25 V 2 4 6 Preliminary data 15 20 25 28 16 21 26 17 22 27 11/12 9/10 7/8 29 13 18 23 14 19 24 E72873 1 3 5 See outline drawing for pin arrangement Features IGBTs - NPT3 IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage - low switching losses VCES TVJ = 25 C to 125 C

 9.1. Size:159K  ixys
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MWI451-17E9

MWI 45-12T6K IC25 = 43 A IGBT Module VCES = 1200 V Sixpack VCE(sat) typ. = 1.9 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Preliminary data Part name (Marking on product) MWI 45-12T6K 10, 23 18 22 14 8 17 21 13 11, 12 NTC 15, 16 19, 20 E72873 Pin configuration see outlines. 7 4 2 6 3 1 5 9, 24 Features Application Package Trench IGBTs AC drives UL reg

Otros transistores... MWI300-12E9 , MWI300-17E9 , MWI30-06A7 , MWI30-06A7T , MWI30-12E6K , MWI35-12A7 , MWI35-12T7T , MWI450-12E9 , GT30G124 , MWI45-12T6K , MWI50-06A7 , MWI50-06A7T , MWI50-12A7 , MWI50-12A7T , MWI50-12E6K , MWI50-12E7 , MWI50-12T7T .

 

 

 


 
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