MWI451-17E9 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MWI451-17E9
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2200 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 580 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.25 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 9 V
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 2600 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MWI451-17E9
MWI451-17E9 Datasheet (PDF)
mwi451-17e9.pdf
MWI 451-17 E9IC60 = 475 AIGBT ModulesVCES = 1700 VSixpackVCE(sat) typ = 2.25 V2 4 6Preliminary data15 20 252816 21 2617 22 2711/12 9/10 7/82913 18 2314 19 24E728731 3 5See outline drawing for pin arrangementFeatures IGBTs- NPT3 IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- low switching lossesVCES TVJ = 25C to 125C
mwi45-12t6k.pdf
MWI 45-12T6KIC25 = 43 AIGBT ModuleVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 1.9 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAPreliminary dataPart name (Marking on product)MWI 45-12T6K10, 2318 2214817 211311, 12NTC 15, 1619, 20E72873Pin configuration see outlines.74 263 159, 24Features: Application: Package: Trench IGBTs AC drives UL reg
Другие IGBT... MWI300-12E9 , MWI300-17E9 , MWI30-06A7 , MWI30-06A7T , MWI30-12E6K , MWI35-12A7 , MWI35-12T7T , MWI450-12E9 , IRG7R313U , MWI45-12T6K , MWI50-06A7 , MWI50-06A7T , MWI50-12A7 , MWI50-12A7T , MWI50-12E6K , MWI50-12E7 , MWI50-12T7T .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2