MWI45-12T6K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MWI45-12T6K
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 160 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 43 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 240 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MWI45-12T6K - IGBT
MWI45-12T6K Datasheet (PDF)
mwi45-12t6k.pdf
MWI 45-12T6KIC25 = 43 AIGBT ModuleVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 1.9 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAPreliminary dataPart name (Marking on product)MWI 45-12T6K10, 2318 2214817 211311, 12NTC 15, 1619, 20E72873Pin configuration see outlines.74 263 159, 24Features: Application: Package: Trench IGBTs AC drives UL reg
mwi451-17e9.pdf
MWI 451-17 E9IC60 = 475 AIGBT ModulesVCES = 1700 VSixpackVCE(sat) typ = 2.25 V2 4 6Preliminary data15 20 252816 21 2617 22 2711/12 9/10 7/82913 18 2314 19 24E728731 3 5See outline drawing for pin arrangementFeatures IGBTs- NPT3 IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- low switching lossesVCES TVJ = 25C to 125C
Otros transistores... MWI300-17E9 , MWI30-06A7 , MWI30-06A7T , MWI30-12E6K , MWI35-12A7 , MWI35-12T7T , MWI450-12E9 , MWI451-17E9 , IHW20N135R5 , MWI50-06A7 , MWI50-06A7T , MWI50-12A7 , MWI50-12A7T , MWI50-12E6K , MWI50-12E7 , MWI50-12T7T , MWI60-06G6K .
Liste
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IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2