Справочник IGBT. MWI45-12T6K

 

MWI45-12T6K Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MWI45-12T6K
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 43 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 240 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MWI45-12T6K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  ixys
 mwi45-12t6k.pdf pdf_icon

MWI45-12T6K

MWI 45-12T6KIC25 = 43 AIGBT ModuleVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 1.9 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAPreliminary dataPart name (Marking on product)MWI 45-12T6K10, 2318 2214817 211311, 12NTC 15, 1619, 20E72873Pin configuration see outlines.74 263 159, 24Features: Application: Package: Trench IGBTs AC drives UL reg

 9.1. Size:145K  ixys
 mwi451-17e9.pdf pdf_icon

MWI45-12T6K

MWI 451-17 E9IC60 = 475 AIGBT ModulesVCES = 1700 VSixpackVCE(sat) typ = 2.25 V2 4 6Preliminary data15 20 252816 21 2617 22 2711/12 9/10 7/82913 18 2314 19 24E728731 3 5See outline drawing for pin arrangementFeatures IGBTs- NPT3 IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- low switching lossesVCES TVJ = 25C to 125C

Другие IGBT... MWI300-17E9 , MWI30-06A7 , MWI30-06A7T , MWI30-12E6K , MWI35-12A7 , MWI35-12T7T , MWI450-12E9 , MWI451-17E9 , CRG60T60AN3H , MWI50-06A7 , MWI50-06A7T , MWI50-12A7 , MWI50-12A7T , MWI50-12E6K , MWI50-12E7 , MWI50-12T7T , MWI60-06G6K .

 

 
Back to Top

 


 
.