MWI45-12T6K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MWI45-12T6K  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 43 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MWI45-12T6K

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MWI45-12T6K даташит

 ..1. Size:159K  ixys
 mwi45-12t6k.pdf pdf_icon

MWI45-12T6K

MWI 45-12T6K IC25 = 43 A IGBT Module VCES = 1200 V Sixpack VCE(sat) typ. = 1.9 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Preliminary data Part name (Marking on product) MWI 45-12T6K 10, 23 18 22 14 8 17 21 13 11, 12 NTC 15, 16 19, 20 E72873 Pin configuration see outlines. 7 4 2 6 3 1 5 9, 24 Features Application Package Trench IGBTs AC drives UL reg

 9.1. Size:145K  ixys
 mwi451-17e9.pdf pdf_icon

MWI45-12T6K

MWI 451-17 E9 IC60 = 475 A IGBT Modules VCES = 1700 V Sixpack VCE(sat) typ = 2.25 V 2 4 6 Preliminary data 15 20 25 28 16 21 26 17 22 27 11/12 9/10 7/8 29 13 18 23 14 19 24 E72873 1 3 5 See outline drawing for pin arrangement Features IGBTs - NPT3 IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage - low switching losses VCES TVJ = 25 C to 125 C

Другие IGBT... MWI300-17E9, MWI30-06A7, MWI30-06A7T, MWI30-12E6K, MWI35-12A7, MWI35-12T7T, MWI450-12E9, MWI451-17E9, CRG40T60AK3HD, MWI50-06A7, MWI50-06A7T, MWI50-12A7, MWI50-12A7T, MWI50-12E6K, MWI50-12E7, MWI50-12T7T, MWI60-06G6K