MWI60-06G6K Todos los transistores

 

MWI60-06G6K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MWI60-06G6K
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 180 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 95 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE

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MWI60-06G6K Datasheet (PDF)

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MWI60-06G6K
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Advanced Technical InformationMWI 60-06 G6KIC25 = 60 AIGBT ModuleVCES = 600 VSixpackVCE(sat) typ. = 2.3 VSquare RBSOA10, 2314 18 22813 17 2111, 12NTC15, 1619, 2076 4 25 3 19, 24Features IGBTs IGBTsSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- fast switchingVCES TVJ = 25C to 150C 600 V- short tail current for optimizedper

 8.1. Size:158K  ixys
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MWI 60-12T6KIC25 = 58 AIGBT ModuleVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 1.9 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOAPreliminary dataPart name (Marking on product)MWI 60-12T6K10, 2318 2214817 211311, 12NTC 15, 1619, 20E72873Pin configuration see outlines.74 263 159, 24Features: Application: Package: Trench IGBTs AC drives UL reg

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