MWI60-06G6K - аналоги и описание IGBT

 

MWI60-06G6K - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MWI60-06G6K

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MWI60-06G6K

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MWI60-06G6K даташит

 ..1. Size:83K  ixys
 mwi60-06g6k.pdf pdf_icon

MWI60-06G6K

Advanced Technical Information MWI 60-06 G6K IC25 = 60 A IGBT Module VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ. = 2.3 V Square RBSOA 10, 23 14 18 22 8 13 17 21 11, 12 NTC 15, 16 19, 20 7 6 4 2 5 3 1 9, 24 Features IGBTs IGBTs Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage - fast switching VCES TVJ = 25 C to 150 C 600 V - short tail current for optimized per

 8.1. Size:158K  ixys
 mwi60-12t6k.pdf pdf_icon

MWI60-06G6K

MWI 60-12T6K IC25 = 58 A IGBT Module VCES = 1200 V Sixpack VCE(sat) typ. = 1.9 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Preliminary data Part name (Marking on product) MWI 60-12T6K 10, 23 18 22 14 8 17 21 13 11, 12 NTC 15, 16 19, 20 E72873 Pin configuration see outlines. 7 4 2 6 3 1 5 9, 24 Features Application Package Trench IGBTs AC drives UL reg

Другие IGBT... MWI45-12T6K , MWI50-06A7 , MWI50-06A7T , MWI50-12A7 , MWI50-12A7T , MWI50-12E6K , MWI50-12E7 , MWI50-12T7T , NGD8201N , MWI60-12T6K , MWI75-06A7 , MWI75-06A7T , MWI75-12A8 , MWI75-12E8 , MWI75-12T7T , MWI75-12T8T , MWI80-12T6K .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.