VII130-06P1 Todos los transistores

 

VII130-06P1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VII130-06P1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 379 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

VII130-06P1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  ixys
 vii130-06p1.pdf pdf_icon

VII130-06P1

VII 130-06P1IC25 = 121 AIGBT Modules in ECO-PAC 2VCES = 600 VShort Circuit SOA CapabilityVCE(sat) typ. = 2.3 VSquare RBSOAPreliminary data sheetVIIL9X13E2NTCB3X15K10Pin arangement see outlinesX16Features IGBTs NPT IGBT'sSymbol Conditions Maximum Ratings - positive temperature coefficient of saturation voltageVCES TVJ = 25C to 150C 600 V- fa

Otros transistores... MWI60-12T6K , MWI75-06A7 , MWI75-06A7T , MWI75-12A8 , MWI75-12E8 , MWI75-12T7T , MWI75-12T8T , MWI80-12T6K , TGAN20N135FD , VKI50-06P1 , VKI50-12P1 , VKI75-06P1 , VWI15-12P1 , VWI20-06P1 , VWI35-06P1 , STGB10NB40LZ , STGB10NB60S .

History: TGL40N120ND | 1MBI3600U4D-170 | APT50GF120LRG

 

 
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