Справочник IGBT. VII130-06P1

 

VII130-06P1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VII130-06P1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 379 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

VII130-06P1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  ixys
 vii130-06p1.pdf pdf_icon

VII130-06P1

VII 130-06P1IC25 = 121 AIGBT Modules in ECO-PAC 2VCES = 600 VShort Circuit SOA CapabilityVCE(sat) typ. = 2.3 VSquare RBSOAPreliminary data sheetVIIL9X13E2NTCB3X15K10Pin arangement see outlinesX16Features IGBTs NPT IGBT'sSymbol Conditions Maximum Ratings - positive temperature coefficient of saturation voltageVCES TVJ = 25C to 150C 600 V- fa

Другие IGBT... MWI60-12T6K , MWI75-06A7 , MWI75-06A7T , MWI75-12A8 , MWI75-12E8 , MWI75-12T7T , MWI75-12T8T , MWI80-12T6K , TGAN20N135FD , VKI50-06P1 , VKI50-12P1 , VKI75-06P1 , VWI15-12P1 , VWI20-06P1 , VWI35-06P1 , STGB10NB40LZ , STGB10NB60S .

History: IXSX40N60BD1

 

 
Back to Top

 


 
.