STGB18N40LZ Todos los transistores

 

STGB18N40LZ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGB18N40LZ
   Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Código de marcado: GB18N40LZ
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 390 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 12 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 2.3 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 3.5 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 90 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 29 nC
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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STGB18N40LZ Datasheet (PDF)

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STGB18N40LZ

STGB18N40LZSTGD18N40LZ, STGP18N40LZEAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBTFeatures AEC Q101 compliant3 32 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 C, 11L = 3 mHDPAKIPAK ESD gate-emitter protection Gate-collector high voltage clamping 3 Logic level gate drive 21 Low saturation voltage TO-22031 High pulsed current capability 3

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STGB18N40LZ

STGB18N40LZSTGD18N40LZ, STGP18N40LZEAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBTFeatures AEC Q101 compliant3 32 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 C, 11L = 3 mHDPAKIPAK ESD gate-emitter protection Gate-collector high voltage clamping 3 Logic level gate drive 21 Low saturation voltage TO-22031 High pulsed current capability 3

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STGB18N40LZ

STGB18N40LZT4, STGD18N40LZ, STGP18N40LZAutomotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJDatasheet - production dataFeaturesTABTAB Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified3121 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 C, DPAKL = 3 mHIPAK ESD gate-emitter protectionTAB Gate-collector high voltage clamping TAB

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STGB18N40LZ

STGB18N40LZT4, STGD18N40LZ, STGP18N40LZAutomotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJDatasheet - production dataFeaturesTABTAB Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified3121 180 mJ of avalanche energy @ TC = 150 C, DPAKL = 3 mHIPAK ESD gate-emitter protectionTAB Gate-collector high voltage clamping TAB

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History: 2MBI400VB-060-50 | OM6526SA | IXGN60N60C2 | MMG450WB120B6E4N | FGH60T65SHD

 

 
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