STGD3NB60SD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGD3NB60SD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: GD3NB60SD
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 48 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 30 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 18 nC
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de STGD3NB60SD - IGBT
STGD3NB60SD Datasheet (PDF)
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