STGD3NB60SD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGD3NB60SD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 48 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.2 V @25℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 30 pF
Encapsulados: DPAK
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STGD3NB60SD datasheet
stgd3nb60sd.pdf
STGD3NB60SD N-CHANNEL 3A - 600V - DPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGD3NB60SD 600 V
stgp3nb60s-stgd3nb60s.pdf
STGP3NB60S STGD3NB60S N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220 / DPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGP3NB60S 600 V
stgd3nb60h.pdf
STGD3NB60H N-CHANNEL 3A - 600V - DPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STD3NB60H 600 V
stgd3nc120h.pdf
STGD3NC120H 7 A, 1200 V very fast IGBT Datasheet - production data Features High voltage capability High speed TAB Applications 3 Home appliance 2 1 Lighting IPAK Description (TO251) This device is a very fast IGBT developed using advanced PowerMESH technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state
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