STGD5NB120SZ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGD5NB120SZ
Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
Código de marcado: GD5NB120SZ
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 170 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 40 pF
Paquete / Cubierta: DPAK IPAK
Búsqueda de reemplazo de STGD5NB120SZ - IGBT
STGD5NB120SZ Datasheet (PDF)
stgd5nb120sz.pdf
STGD5NB120SZ5 A - 1200 V - low drop internally clamped IGBTFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability Off losses include tail current High voltage clamping33211ApplicationsDPAK IPAK Light dimmer Inrush current limitation Pre-heating for electronic lamp ballastDescriptionThis IGBT utilizes the advanced Power MESH
stgb5h60df stgd5h60df stgf5h60df stgp5h60df.pdf
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