STGD5NB120SZ Todos los transistores

 

STGD5NB120SZ IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STGD5NB120SZ

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 170 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 40 pF

Encapsulados: DPAK IPAK

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STGD5NB120SZ datasheet

 ..1. Size:395K  st
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STGD5NB120SZ

STGD5NB120SZ 5 A - 1200 V - low drop internally clamped IGBT Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability Off losses include tail current High voltage clamping 3 3 2 1 1 Applications DPAK IPAK Light dimmer Inrush current limitation Pre-heating for electronic lamp ballast Description This IGBT utilizes the advanced Power MESH

 9.1. Size:862K  st
stgb5h60df stgd5h60df stgf5h60df stgp5h60df.pdf pdf_icon

STGD5NB120SZ

STGB5H60DF, STGD5H60DF STGF5H60DF, STGP5H60DF Datasheet Trench gate field-stop 600 V, 5 A high speed H series IGBT Features TAB TAB High-speed switching 3 2 3 1 1 DPAK 2 Tight parameter distribution D PAK Safe paralleling TAB Low thermal resistance Short-circuit rated 3 2 3 1 Ultrafast soft recovery antiparallel diode 2 1 TO-220 TO-220FP Appl

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