STGD5NB120SZ - аналоги и описание IGBT

 

STGD5NB120SZ - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGD5NB120SZ

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 170 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF

Тип корпуса: DPAK IPAK

 Аналог (замена) для STGD5NB120SZ

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGD5NB120SZ даташит

 ..1. Size:395K  st
 stgd5nb120sz.pdf pdf_icon

STGD5NB120SZ

STGD5NB120SZ 5 A - 1200 V - low drop internally clamped IGBT Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability Off losses include tail current High voltage clamping 3 3 2 1 1 Applications DPAK IPAK Light dimmer Inrush current limitation Pre-heating for electronic lamp ballast Description This IGBT utilizes the advanced Power MESH

 9.1. Size:862K  st
 stgb5h60df stgd5h60df stgf5h60df stgp5h60df.pdf pdf_icon

STGD5NB120SZ

STGB5H60DF, STGD5H60DF STGF5H60DF, STGP5H60DF Datasheet Trench gate field-stop 600 V, 5 A high speed H series IGBT Features TAB TAB High-speed switching 3 2 3 1 1 DPAK 2 Tight parameter distribution D PAK Safe paralleling TAB Low thermal resistance Short-circuit rated 3 2 3 1 Ultrafast soft recovery antiparallel diode 2 1 TO-220 TO-220FP Appl

Другие IGBT... STGD10NC60HD , STGD10NC60KD , STGD10NC60S , STGD10NC60SD , STGD14NC60K , STGD18N40LZ , STGD3HF60HD , STGD3NB60SD , IRG7S313U , STGD6NC60HD , STGD7NB60S , STGD7NC60H , STGD8NC60K , STGD8NC60KD , STGDL6NC60D , STGDL6NC60DI , STGE200NB60S .

History: JNG20T60PS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.