Справочник IGBT. STGD5NB120SZ

 

STGD5NB120SZ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGD5NB120SZ
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Маркировка: GD5NB120SZ
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 170 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF
   Тип корпуса: DPAK IPAK
 

 Аналог (замена) для STGD5NB120SZ

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGD5NB120SZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  st
 stgd5nb120sz.pdf pdf_icon

STGD5NB120SZ

STGD5NB120SZ5 A - 1200 V - low drop internally clamped IGBTFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability Off losses include tail current High voltage clamping33211ApplicationsDPAK IPAK Light dimmer Inrush current limitation Pre-heating for electronic lamp ballastDescriptionThis IGBT utilizes the advanced Power MESH

 9.1. Size:862K  st
 stgb5h60df stgd5h60df stgf5h60df stgp5h60df.pdf pdf_icon

STGD5NB120SZ

STGB5H60DF, STGD5H60DF STGF5H60DF, STGP5H60DFDatasheetTrench gate field-stop 600 V, 5 A high speed H series IGBTFeaturesTABTAB High-speed switching32311DPAK2 Tight parameter distributionD PAK Safe parallelingTAB Low thermal resistance Short-circuit rated3231 Ultrafast soft recovery antiparallel diode21TO-220TO-220FPAppl

Другие IGBT... STGD10NC60HD , STGD10NC60KD , STGD10NC60S , STGD10NC60SD , STGD14NC60K , STGD18N40LZ , STGD3HF60HD , STGD3NB60SD , IRGP4062D , STGD6NC60HD , STGD7NB60S , STGD7NC60H , STGD8NC60K , STGD8NC60KD , STGDL6NC60D , STGDL6NC60DI , STGE200NB60S .

History: DGW10N120CTL

 

 
Back to Top

 


 
.