STGD7NB60S IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGD7NB60S
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 55 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 460 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 65 pF
Encapsulados: DPAK
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STGD7NB60S datasheet
stgd7nb60s.pdf
STGD7NB60S N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGD7NB60S 600 V
stgd7nb60h.pdf
STGD7NB60H N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STD7NB60H 600 V
stgd7nb60h-1.pdf
STGD7NB60H-1 N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGD7NB60H-1 600 V
stgd7nb120s-1.pdf
STGD7NB120S-1 N-CHANNEL 7A - 1200V - IPAK PowerMESH IGBT PRELIMINARY DATA TYPE VCES VCE(sat) IC STGD7NB120S-1 1200 V
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