STGD7NB60S Todos los transistores

 

STGD7NB60S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGD7NB60S
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 55 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 460 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 65 pF
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STGD7NB60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  st
 stgd7nb60s.pdf pdf_icon

STGD7NB60S

STGD7NB60SN-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGD7NB60S 600 V

 5.1. Size:327K  st
 stgd7nb60h.pdf pdf_icon

STGD7NB60S

STGD7NB60HN-CHANNEL 7A - 600V - DPAKPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTD7NB60H 600 V

 5.2. Size:313K  st
 stgd7nb60h-1.pdf pdf_icon

STGD7NB60S

STGD7NB60H-1N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGD7NB60H-1 600 V

 7.1. Size:119K  st
 stgd7nb120s-1.pdf pdf_icon

STGD7NB60S

STGD7NB120S-1N-CHANNEL 7A - 1200V - IPAKPowerMESH IGBTPRELIMINARY DATATYPE VCES VCE(sat) ICSTGD7NB120S-1 1200 V

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History: APTGF150DH120 | IXGA48N60C3 | MMG400D060B6TC | MIXA10W1200TML | IXXH50N60C3 | IXBX28N300HV | BSM300GB120DLC

 

 
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