STGD7NB60S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: STGD7NB60S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 460 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 33 nC
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам