STGD7NB60S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: STGD7NB60S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 460 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 33 nC
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STGD7NB60S

 

 

STGD7NB60S Datasheet (PDF)

Другие IGBT... STGD10NC60S , STGD10NC60SD , STGD14NC60K , STGD18N40LZ , STGD3HF60HD , STGD3NB60SD , STGD5NB120SZ , STGD6NC60HD , IRG4PC40UD , STGD7NC60H , STGD8NC60K , STGD8NC60KD , STGDL6NC60D , STGDL6NC60DI , STGE200NB60S , STGE50NC60VD , STGE50NC60WD .