STGD7NB60S - аналоги и описание IGBT

 

STGD7NB60S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGD7NB60S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 460 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF

Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STGD7NB60S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGD7NB60S даташит

 ..1. Size:194K  st
 stgd7nb60s.pdf pdf_icon

STGD7NB60S

STGD7NB60S N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGD7NB60S 600 V

 5.1. Size:327K  st
 stgd7nb60h.pdf pdf_icon

STGD7NB60S

STGD7NB60H N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STD7NB60H 600 V

 5.2. Size:313K  st
 stgd7nb60h-1.pdf pdf_icon

STGD7NB60S

STGD7NB60H-1 N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGD7NB60H-1 600 V

 7.1. Size:119K  st
 stgd7nb120s-1.pdf pdf_icon

STGD7NB60S

STGD7NB120S-1 N-CHANNEL 7A - 1200V - IPAK PowerMESH IGBT PRELIMINARY DATA TYPE VCES VCE(sat) IC STGD7NB120S-1 1200 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STGD10NC60S , STGD10NC60SD , STGD14NC60K , STGD18N40LZ , STGD3HF60HD , STGD3NB60SD , STGD5NB120SZ , STGD6NC60HD , GT30F132 , STGD7NC60H , STGD8NC60K , STGD8NC60KD , STGDL6NC60D , STGDL6NC60DI , STGE200NB60S , STGE50NC60VD , STGE50NC60WD .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.