STGD7NC60H IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGD7NC60H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 70 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 8.5 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 81 pF
Encapsulados: DPAK
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STGD7NC60H datasheet
stgd7nc60h.pdf
STGP7NC60H - STGD7NC60H N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25 C @100 C STGP7NC60H 600 V
stgp7nc60h stgd7nc60h.pdf
STGP7NC60H - STGD7NC60H N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25 C @100 C STGP7NC60H 600 V
stgd7nc60ht4.pdf
STGD7NC60HT4 N-channel PowerMESH 600 V, 14 A very fast IGBT Datasheet - production data Features Order code V V max I CES CE(sat) C STGD7NC60HT4 600 V
stgd7nb60s.pdf
STGD7NB60S N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGD7NB60S 600 V
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