STGD7NC60H Todos los transistores

 

STGD7NC60H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGD7NC60H
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 70 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 8.5 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 81 pF
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STGD7NC60H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  st
 stgd7nc60h.pdf pdf_icon

STGD7NC60H

STGP7NC60H - STGD7NC60HN-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAKVery Fast PowerMESH IGBTTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGP7NC60H 600 V

 ..2. Size:388K  st
 stgp7nc60h stgd7nc60h.pdf pdf_icon

STGD7NC60H

STGP7NC60H - STGD7NC60HN-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAKVery Fast PowerMESH IGBTTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGP7NC60H 600 V

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 stgd7nc60ht4.pdf pdf_icon

STGD7NC60H

STGD7NC60HT4 N-channel PowerMESH 600 V, 14 A very fast IGBT Datasheet - production data Features Order code V V max I CES CE(sat) CSTGD7NC60HT4 600 V

 8.1. Size:194K  st
 stgd7nb60s.pdf pdf_icon

STGD7NC60H

STGD7NB60SN-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGD7NB60S 600 V

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History: GT80J101 | APTGF25X120E2 | APTLGF210U120T | MMG150S120B6TN | SGT20T60SD1T | BLG40T120FUH-F

 

 
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