STGD7NC60H - аналоги и описание IGBT

 

STGD7NC60H - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGD7NC60H

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 8.5 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 81 pF

Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STGD7NC60H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGD7NC60H даташит

 ..1. Size:350K  st
 stgd7nc60h.pdf pdf_icon

STGD7NC60H

STGP7NC60H - STGD7NC60H N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25 C @100 C STGP7NC60H 600 V

 ..2. Size:388K  st
 stgp7nc60h stgd7nc60h.pdf pdf_icon

STGD7NC60H

STGP7NC60H - STGD7NC60H N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25 C @100 C STGP7NC60H 600 V

 0.1. Size:787K  st
 stgd7nc60ht4.pdf pdf_icon

STGD7NC60H

STGD7NC60HT4 N-channel PowerMESH 600 V, 14 A very fast IGBT Datasheet - production data Features Order code V V max I CES CE(sat) C STGD7NC60HT4 600 V

 8.1. Size:194K  st
 stgd7nb60s.pdf pdf_icon

STGD7NC60H

STGD7NB60S N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGD7NB60S 600 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STGD10NC60SD , STGD14NC60K , STGD18N40LZ , STGD3HF60HD , STGD3NB60SD , STGD5NB120SZ , STGD6NC60HD , STGD7NB60S , IRGP4063 , STGD8NC60K , STGD8NC60KD , STGDL6NC60D , STGDL6NC60DI , STGE200NB60S , STGE50NC60VD , STGE50NC60WD , STGF10NB60SD .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.