GT20D101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT20D101
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 180 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 250 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 400 pF
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
GT20D101 Datasheet (PDF)
Otros transistores... GT15G101 , GT15J101 , GT15J102 , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 , FGPF4536 , GT20D101O , GT20D101Y , GT20G101 , GT20G102 , GT20J301 , GT20J311 , GT25G101 , GT25G102 .
History: ISL9V2040S3S | DF160R12W2H3_B11 | TT075U065FBC | MMG75S120B6C | NTE3310 | 2MBI150VA-060-50
History: ISL9V2040S3S | DF160R12W2H3_B11 | TT075U065FBC | MMG75S120B6C | NTE3310 | 2MBI150VA-060-50



Liste
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IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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