GT20D101Y Todos los transistores

 

GT20D101Y - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT20D101Y
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 180 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 250 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 400 pF
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de GT20D101Y - IGBT

 

GT20D101Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  toshiba
gt20d101o gt20d101y.pdf

GT20D101Y
GT20D101Y

 6.1. Size:187K  toshiba
gt20d101.pdf

GT20D101Y
GT20D101Y

 9.1. Size:165K  toshiba
gt20d201.pdf

GT20D101Y
GT20D101Y

Otros transistores... GT15J102 , GT15J103 , GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 , GT20D101 , GT20D101O , SGT50T65FD1PT , GT20G101 , GT20G102 , GT20J301 , GT20J311 , GT25G101 , GT25G102 , GT25H101 , GT25J101 .

 

 
Back to Top

 


GT20D101Y
  GT20D101Y
  GT20D101Y
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2

 

 

 
Back to Top