GT20G102 Todos los transistores

 

GT20G102 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT20G102
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Paquete / Cubierta: IPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT20G102 Datasheet (PDF)

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GT20G102

GT20G102 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT20G102 Unit: mmSTROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage : V = 8.0V (Max.) CE(sat)(I = 130A) C Enhancement-Mode 12V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 VGate-Emitter Voltage VGES 20

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GT20G102

GT20G101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT20G101 Unit: mmSTROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage : V = 8V (Max.) (I = 130A) CE (sat) C Enhancement-Mode 20V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 VGate-Emitter Voltage VGES 25 V

Otros transistores... GT15N101 , GT15Q101 , GT15Q301 , GT15Q311 , GT20D101 , GT20D101O , GT20D101Y , GT20G101 , RJP30E2DPP-M0 , GT20J301 , GT20J311 , GT25G101 , GT25G102 , GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 , GT25Q301 .

History: MMGT40H120XB6C | MG25Q2YS40 | IRG7PH28UD1 | MMG150W060XB6EN | SKM195GAL062D | SM2G200US60 | APT40GP90BG

 

 
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