GT25G102 Todos los transistores

 

GT25G102 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT25G102
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Paquete / Cubierta: IPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT25G102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  toshiba
 gt25g102.pdf pdf_icon

GT25G102

GT25G102 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT25G102 Unit: mmSTROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage : V = 8V (Max.) (I = 150A) CE (sat) C Enhancement-Mode 12V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 VGate-Emitter Voltage VGES 20 V

 7.1. Size:309K  toshiba
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GT25G102

GT25G101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT25G101 Unit in mmSTROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage : VCE (sat)=8V (Max.) (IC=170A) Enhancement-Mode 20V Gate Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 VGate-Emitter Voltage VGES 25 V

Otros transistores... GT20D101 , GT20D101O , GT20D101Y , GT20G101 , GT20G102 , GT20J301 , GT20J311 , GT25G101 , BT40T60ANF , GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 , GT25Q301 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 , GT40M101 .

History: APTGF25X120E2 | GA400TD60U | XP025PJE120AT1B2 | BLG60T65FDL-W | MSG100D350FH | MMG200D170B6TC | NCE20TD60BF

 

 
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