GT25G102 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT25G102
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de GT25G102 - IGBT
GT25G102 Datasheet (PDF)
gt25g102.pdf
GT25G102 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT25G102 Unit: mmSTROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage : V = 8V (Max.) (I = 150A) CE (sat) C Enhancement-Mode 12V Gate Drive MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 VGate-Emitter Voltage VGES 20 V
gt25g101.pdf
GT25G101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT25G101 Unit in mmSTROBE FLASH APPLICATIONS High Input Impedance Low Saturation Voltage : VCE (sat)=8V (Max.) (IC=170A) Enhancement-Mode 20V Gate Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 400 VGate-Emitter Voltage VGES 25 V
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Liste
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