IKU06N60R - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IKU06N60R
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: K06R60
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 7 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 24 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 48 nC
Paquete / Cubierta: TO251
- Selección de transistores por parámetros
IKU06N60R Datasheet (PDF)
iku06n60r.pdf

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History: SKB06N60 | AOK40B60D | GT45G128 | FGH30N120FTD | IKB20N60H3 | FGH20N60UFD | APT13GP120BDF1
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Liste
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