IGD01N120H2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IGD01N120H2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 28 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 3.2 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 6.3 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 9.8 pF
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de IGD01N120H2 - IGBT

IGD01N120H2 Datasheet (PDF)

..1. Size:971K infineon
igp01n120h2 igd01n120h2 rev2 4g.pdf

IGP01N120H2 IGD01N120H2HighSpeed 2-Technology C Designed for: - SMPS - Lamp Ballast GE- ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: PG-TO-252-3-1 - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter d

..2. Size:965K infineon
igd01n120h2.pdf