IGD01N120H2 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

IGD01N120H2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IGD01N120H2
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G1H1202
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 3.2 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 3.9 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 6.3 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 9.8 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 8.6 nC
   Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IGD01N120H2

IGD01N120H2 Datasheet (PDF)

..1. Size:971K infineon
igp01n120h2 igd01n120h2 rev2 4g.pdf

IGP01N120H2 IGD01N120H2HighSpeed 2-Technology C Designed for: - SMPS - Lamp Ballast GE- ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: PG-TO-252-3-1 - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter d

..2. Size:965K infineon
igd01n120h2.pdf