GT40M301 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT40M301
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
Encapsulados: TO264
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GT40M301 datasheet
gt40m301.pdf
GT40M301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE GT40M301 Unit mm HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS The 3rd Generation FRD Included Between Emitter and Collector Enhancement-Mode High Speed IGBT t = 0.25 s (TYP.) f FRD trr = 0.7 s (TYP.) Low Saturation Voltage V = 3.4V (MAX.) CE (sat) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTE
gt40m101.pdf
GT40M101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT40M101 Unit mm HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS High input impedance High speed tf = 0.4 s (Max.) Low saturation voltage VCE(sat) = 3.4V (Max.) Enhancement mode type MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Emitter Voltage VCES 900 V Gate-Emitter Voltage V
Otros transistores... GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 , GT25Q301 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 , GT40M101 , FGH60N60SFD , GT40T301 , GT50G101 , GT50G102 , GT50J101 , GT50J102 , GT50J301 , GT50J322 , GT50L101 .
History: GT10Q311 | GT10J311 | GA75TS60U
History: GT10Q311 | GT10J311 | GA75TS60U
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