GT40M301 Todos los transistores

 

GT40M301 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT40M301
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
   Paquete / Cubierta: TO264
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT40M301 Datasheet (PDF)

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GT40M301

GT40M301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE GT40M301 Unit: mmHIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS The 3rd Generation FRD Included Between Emitter and Collector Enhancement-Mode High Speed IGBT : t = 0.25s (TYP.) fFRD : trr = 0.7s (TYP.) Low Saturation Voltage : V = 3.4V (MAX.) CE (sat)MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTE

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GT40M301

GT40M101 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT GT40M101 Unit: mmHIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS High input impedance High speed : tf = 0.4s (Max.) Low saturation voltage : VCE(sat) = 3.4V (Max.) Enhancement mode type MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Emitter Voltage VCES 900 VGate-Emitter Voltage V

Otros transistores... GT25H101 , GT25J101 , GT25Q101 , GT25Q301 , GT30J301 , GT30J311 , GT30J322 , GT40M101 , IKW75N60T , GT40T301 , GT50G101 , GT50G102 , GT50J101 , GT50J102 , GT50J301 , GT50J322 , GT50L101 .

History: APTLGF210U120T | APTGF25X120E2 | GT80J101 | SGT20T60SD1T | MMG150S120B6TN | BLG40T120FUH-F

 

 
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