IGP10N60T Todos los transistores

 

IGP10N60T - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IGP10N60T
   Tipo de transistor: IGBT
   Código de marcado: G10T60
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 110 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 24 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 8 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 40 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 62 nC
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IGP10N60T Datasheet (PDF)

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IGP10N60T

IGP10N60T TRENCHSTOP Series q Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology Features: Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) C Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s Designed for : - Variable Speed Drive for washing machines and air conditioners G - induction cooking E - Uninterrupted Power Supply TRENCHS

 0.1. Size:352K  infineon
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IGP10N60T

IGP10N60T TrenchStop Series q Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C C Short circuit withstand time 5s Designed for : - Variable Speed Drive for washing machines and air Gconditioners E - induction cooking - Uninterrupted Power Supply TrenchStop and Fie

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History: GT15Q101

 

 
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