IGP10N60T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IGP10N60T
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: G10T60
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 62 nC
Тип корпуса: TO220
IGP10N60T Datasheet (PDF)
igp10n60t.pdf
IGP10N60T TRENCHSTOP Series q Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology Features: Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) C Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s Designed for : - Variable Speed Drive for washing machines and air conditioners G - induction cooking E - Uninterrupted Power Supply TRENCHS
igp10n60trev2 3g.pdf
IGP10N60T TrenchStop Series q Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C C Short circuit withstand time 5s Designed for : - Variable Speed Drive for washing machines and air Gconditioners E - induction cooking - Uninterrupted Power Supply TrenchStop and Fie
Другие IGBT... SIW75N65G2L2A , IGP30N60T , BSM50GAL120DN2 , IGB50N60T , IGW50N60T , IGW75N60T , IGB10N60T , IGP06N60T , CRG75T60AK3HD , IGP15N60T , IGP50N60T , AUIRG4BC30S-S , AUIRG4BC30S-SL , AUIRG4BC30U-S , AUIRG4BC30U-SL , AUIRG4PH50S , AUIRGB4062D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2