AUIRGS30B60K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AUIRGS30B60K
   Tipo de transistor: IGBT
   Código de marcado: AUGS30B60K
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Máxima potencia disipada (Pc), W: 370
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 78
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.95
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.5
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 28
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 160
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 102
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de AUIRGS30B60K - IGBT

AUIRGS30B60K Datasheet (PDF)

..1. Size:305K international rectifier
auirgs30b60k.pdf

PD - 96334AUTOMOTIVE GRADEAUIRGS30B60KAUIRGSL30B60KINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCVCES = 600VFeatures Low VCE(on) Non Punch Through IGBT TechnologyIC = 50A, TC=100C 10s Short Circuit Capabilityat TJ=175C Square RBSOA Gtsc > 10s, TJ=150C Positive VCE(on) Temperature CoefficientE Maximum Junction Temperature rated at 175CVCE(on) typ.

8.1. Size:415K international rectifier
auirgs4062d1.pdf

AUIRGB4062D1AUIRGS4062D1AUTOMOTIVE GRADEAUIRGSL4062D1INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Trench IGBT Technology IC(Nominal) = 24A Low Switching Losses 5s SCSOAGtSC 5s, TJ(max) = 175C Square RBSOA 100% of The Parts Tested for ILM Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

8.2. Size:305K international rectifier
auirgsl30b60k.pdf