AUIRGS30B60K - аналоги и описание IGBT

 

AUIRGS30B60K - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AUIRGS30B60K

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 78 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF

Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для AUIRGS30B60K

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AUIRGS30B60K даташит

 ..1. Size:305K  international rectifier
 auirgs30b60k.pdf pdf_icon

AUIRGS30B60K

PD - 96334 AUTOMOTIVE GRADE AUIRGS30B60K AUIRGSL30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR C VCES = 600V Features Low VCE(on) Non Punch Through IGBT Technology IC = 50A, TC=100 C 10 s Short Circuit Capability at TJ=175 C Square RBSOA G tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE(on) Temperature Coefficient E Maximum Junction Temperature rated at 175 C VCE(on) typ.

 8.1. Size:415K  international rectifier
 auirgs4062d1.pdf pdf_icon

AUIRGS30B60K

AUIRGB4062D1 AUIRGS4062D1 AUTOMOTIVE GRADE AUIRGSL4062D1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH C ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V Features Low VCE (on) Trench IGBT Technology IC(Nominal) = 24A Low Switching Losses 5 s SCSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Square RBSOA 100% of The Parts Tested for ILM Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

 8.2. Size:305K  international rectifier
 auirgsl30b60k.pdf pdf_icon

AUIRGS30B60K

PD - 96334 AUTOMOTIVE GRADE AUIRGS30B60K AUIRGSL30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR C VCES = 600V Features Low VCE(on) Non Punch Through IGBT Technology IC = 50A, TC=100 C 10 s Short Circuit Capability at TJ=175 C Square RBSOA G tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE(on) Temperature Coefficient E Maximum Junction Temperature rated at 175 C VCE(on) typ.

 8.3. Size:415K  international rectifier
 auirgsl4062d1.pdf pdf_icon

AUIRGS30B60K

AUIRGB4062D1 AUIRGS4062D1 AUTOMOTIVE GRADE AUIRGSL4062D1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH C ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V Features Low VCE (on) Trench IGBT Technology IC(Nominal) = 24A Low Switching Losses 5 s SCSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Square RBSOA 100% of The Parts Tested for ILM Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRGP35B60PD-E , AUIRGP4062D , AUIRGP4063D , AUIRGP4066D1 , AUIRGP50B60PD1 , AUIRGPS4067D1 , AUIRGR4045D , SIW50N65G2H2G , GT60N321 , SIW50N65G2L2G , SIW75N65G2H2A , AUIRGSL30B60K , AUIRGU4045D , IRG4BC10SD-L , IRG4BC10SD-S , IRG4BC15MD , IRG4BC15UD .

History: AUIRGSL30B60K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.