Справочник IGBT. AUIRGS30B60K

 

AUIRGS30B60K - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AUIRGS30B60K
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: AUGS30B60K
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 78 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 102 nC
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для AUIRGS30B60K

 

 

AUIRGS30B60K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  international rectifier
 auirgs30b60k.pdf

AUIRGS30B60K AUIRGS30B60K

PD - 96334AUTOMOTIVE GRADEAUIRGS30B60KAUIRGSL30B60KINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCVCES = 600VFeatures Low VCE(on) Non Punch Through IGBT TechnologyIC = 50A, TC=100C 10s Short Circuit Capabilityat TJ=175C Square RBSOA Gtsc > 10s, TJ=150C Positive VCE(on) Temperature CoefficientE Maximum Junction Temperature rated at 175CVCE(on) typ.

 8.1. Size:415K  international rectifier
 auirgs4062d1.pdf

AUIRGS30B60K AUIRGS30B60K

AUIRGB4062D1AUIRGS4062D1AUTOMOTIVE GRADEAUIRGSL4062D1INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Trench IGBT Technology IC(Nominal) = 24A Low Switching Losses 5s SCSOAGtSC 5s, TJ(max) = 175C Square RBSOA 100% of The Parts Tested for ILM Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

 8.2. Size:305K  international rectifier
 auirgsl30b60k.pdf

AUIRGS30B60K AUIRGS30B60K

PD - 96334AUTOMOTIVE GRADEAUIRGS30B60KAUIRGSL30B60KINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCVCES = 600VFeatures Low VCE(on) Non Punch Through IGBT TechnologyIC = 50A, TC=100C 10s Short Circuit Capabilityat TJ=175C Square RBSOA Gtsc > 10s, TJ=150C Positive VCE(on) Temperature CoefficientE Maximum Junction Temperature rated at 175CVCE(on) typ.

 8.3. Size:415K  international rectifier
 auirgsl4062d1.pdf

AUIRGS30B60K AUIRGS30B60K

AUIRGB4062D1AUIRGS4062D1AUTOMOTIVE GRADEAUIRGSL4062D1INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Trench IGBT Technology IC(Nominal) = 24A Low Switching Losses 5s SCSOAGtSC 5s, TJ(max) = 175C Square RBSOA 100% of The Parts Tested for ILM Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

Другие IGBT... AUIRGP35B60PD-E , AUIRGP4062D , AUIRGP4063D , AUIRGP4066D1 , AUIRGP50B60PD1 , AUIRGPS4067D1 , AUIRGR4045D , SIW50N65G2H2G , IKW40T120 , SIW50N65G2L2G , SIW75N65G2H2A , AUIRGSL30B60K , AUIRGU4045D , IRG4BC10SD-L , IRG4BC10SD-S , IRG4BC15MD , IRG4BC15UD .

 

 
Back to Top