IRG6IC30U - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRG6IC30U
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 37 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 16 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 85 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 79 nC
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de IRG6IC30U - IGBT
IRG6IC30U Datasheet (PDF)
irg6ic30u.pdf
PD - 97386IRG6IC30UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min600 Vl Advanced Trench IGBT TechnologyVCE(ON) typ. @ IC = 25A1.50 Vl Optimized for Sustain and Energy Recoverycircuits in PDP applications IRP max @ TC= 25C 250 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl L
irg6i320u.pdf
PD - 97351AIRG6I320UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min330 Vl Advanced Trench IGBT Technologyl Optimized for Sustain and Energy RecoveryVCE(ON) typ. @ IC = 24A1.45 Vcircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C160 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl
irg6i330u.pdf
PD - 96192AIRG6I330UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min330 Vl Advanced Trench IGBT TechnologyVCE(ON) typ. @ IC = 28A1.30 Vl Optimized for Sustain and Energy Recoverycircuits in PDP applications IRP max @ TC= 25C250 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl L
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Liste
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