IRG6IC30U - Аналоги. Основные параметры
Наименование: IRG6IC30U
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 85 pF
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IRG6IC30U
Технические параметры IRG6IC30U
irg6ic30u.pdf
PD - 97386 IRG6IC30UPbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min 600 V l Advanced Trench IGBT Technology VCE(ON) typ. @ IC = 25A 1.50 V l Optimized for Sustain and Energy Recovery circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 250 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l L
irg6i320u.pdf
PD - 97351A IRG6I320UPbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 24A 1.45 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 160 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l
irg6i330u.pdf
PD - 96192A IRG6I330UPbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology VCE(ON) typ. @ IC = 28A 1.30 V l Optimized for Sustain and Energy Recovery circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 250 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l L
Другие IGBT... IRG4PH40UD2-E , IRG4PH50S-E , IRG4PSH71U , IRG4PSH71UD , IRG4RC20F , IRG6B330UD , IRG6I320U , IRG6I330U , RJP30E2DPP-M0 , IRG6S320U , IRG6S330U , IRG7I313U , IRG7I319U , IRG7IA13U , IRG7IA19U , IRG7IC28U , IRG7P313U .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet




