IRG6S320U - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRG6S320U
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 114 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 61 pF
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de IRG6S320U - IGBT
IRG6S320U Datasheet (PDF)
irg6s320u.pdf
PD -96218APDP TRENCH IGBTIRG6S320UPbFKey ParametersFeaturesVCE min330 Vl Advanced Trench IGBT Technologyl Optimized for Sustain and Energy RecoveryVCE(ON) typ. @ IC = 24A1.45 Vcircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C160 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl L
irg6s330u.pdf
PD - 96217APDP TRENCH IGBTIRG6S330UPbFKey ParametersFeaturesVCE min330 Vl Advanced Trench IGBT TechnologyVCE(ON) typ. @ IC = 70Al Optimized for Sustain and Energy Recovery 1.80 Vcircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C250 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl L
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Liste
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