IRG6S320U Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRG6S320U  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 114 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 61 pF

Encapsulados: D2PAK

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IRG6S320U datasheet

 ..1. Size:287K  international rectifier
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IRG6S320U

PD -96218A PDP TRENCH IGBT IRG6S320UPbF Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 24A 1.45 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 160 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l L

 8.1. Size:232K  international rectifier
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IRG6S320U

PD - 96217A PDP TRENCH IGBT IRG6S330UPbF Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology VCE(ON) typ. @ IC = 70A l Optimized for Sustain and Energy Recovery 1.80 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 250 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l L

Otros transistores... IRG4PH50S-E, IRG4PSH71U, IRG4PSH71UD, IRG4RC20F, IRG6B330UD, IRG6I320U, IRG6I330U, IRG6IC30U, BT40T60ANF, IRG6S330U, IRG7I313U, IRG7I319U, IRG7IA13U, IRG7IA19U, IRG7IC28U, IRG7P313U, IRG7PA19U