IRG6S320U Todos los transistores

 

IRG6S320U IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRG6S320U
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 114 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 61 pF
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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Principales características: IRG6S320U

 ..1. Size:287K  international rectifier
 irg6s320u.pdf pdf_icon

IRG6S320U

PD -96218A PDP TRENCH IGBT IRG6S320UPbF Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 24A 1.45 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 160 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l L

 8.1. Size:232K  international rectifier
 irg6s330u.pdf pdf_icon

IRG6S320U

PD - 96217A PDP TRENCH IGBT IRG6S330UPbF Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology VCE(ON) typ. @ IC = 70A l Optimized for Sustain and Energy Recovery 1.80 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 250 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l L

Otros transistores... IRG4PH50S-E , IRG4PSH71U , IRG4PSH71UD , IRG4RC20F , IRG6B330UD , IRG6I320U , IRG6I330U , IRG6IC30U , CRG60T60AN3H , IRG6S330U , IRG7I313U , IRG7I319U , IRG7IA13U , IRG7IA19U , IRG7IC28U , IRG7P313U , IRG7PA19U .

 

 
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