IRG6S320U - аналоги и описание IGBT

 

IRG6S320U - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRG6S320U

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 61 pF

Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для IRG6S320U

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG6S320U даташит

 ..1. Size:287K  international rectifier
 irg6s320u.pdf pdf_icon

IRG6S320U

PD -96218A PDP TRENCH IGBT IRG6S320UPbF Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 24A 1.45 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 160 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l L

 8.1. Size:232K  international rectifier
 irg6s330u.pdf pdf_icon

IRG6S320U

PD - 96217A PDP TRENCH IGBT IRG6S330UPbF Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology VCE(ON) typ. @ IC = 70A l Optimized for Sustain and Energy Recovery 1.80 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 250 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l L

Другие IGBT... IRG4PH50S-E , IRG4PSH71U , IRG4PSH71UD , IRG4RC20F , IRG6B330UD , IRG6I320U , IRG6I330U , IRG6IC30U , CRG60T60AN3H , IRG6S330U , IRG7I313U , IRG7I319U , IRG7IA13U , IRG7IA19U , IRG7IC28U , IRG7P313U , IRG7PA19U .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.