IRGB14C40L Todos los transistores

 

IRGB14C40L - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRGB14C40L
   Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 370 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 2.2 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2800 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 27 nC
   Paquete / Cubierta: TO220AB

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IRGB14C40L Datasheet (PDF)

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