IRGB14C40L - аналоги и описание IGBT

 

IRGB14C40L - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IRGB14C40L
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 370 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2800 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для IRGB14C40L

 

Технические параметры IRGB14C40L

 ..1. Size:160K  international rectifier
irgb14c40l.pdfpdf_icon

IRGB14C40L

IRGS14C40L IRGSL14C40L Ignition IGBT IRGB14C40L IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps TERMINAL DIAGRAM Collector CES = C C CE(on) R1 Gate R2 L(min)

 9.1. Size:332K  international rectifier
irgb15b60kd.pdfpdf_icon

IRGB14C40L

PD - 95194 IRGB15B60KDPbF IRGS15B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGSL15B60KD ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. IC = 15A, TC=100 C 10 s Short Circuit Capability. Square RBSOA. G tsc > 10 s, TJ=150 C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive V

 9.2. Size:111K  international rectifier
irgb10b60kd.pdfpdf_icon

IRGB14C40L

PD - 94925 IRGB10B60KDPbF IRGS10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGSL10B60KD ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. IC = 12A, TC=100 C 10 s Short Circuit Capability. Square RBSOA. G Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. tsc > 10 s, TJ=150 C Positive V

Другие IGBT... IRG7PSH50UD , IRG7PSH73K10 , IRG7R313U , IRG7S313U , IRG7S319U , IRG7SC12F , IRG7SC28U , IRGB10B60KD , YGW40N65F1 , IRGB15B60KD , IRGB20B60PD1 , IRGB30B60K , IRGB4045D , IRGB4056D , IRGB4059D , IRGB4060D , IRGB4061D .

History: IRG7SC28U

 

 
Back to Top

 


 
.