IRGB14C40L - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRGB14C40L
Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 370 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.2 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 2800 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 27 nC
Тип корпуса: TO220AB
IRGB14C40L Datasheet (PDF)
Другие IGBT... IRG7PSH50UD , IRG7PSH73K10 , IRG7R313U , IRG7S313U , IRG7S319U , IRG7SC12F , IRG7SC28U , IRGB10B60KD , IKW30N60H3 , IRGB15B60KD , IRGB20B60PD1 , IRGB30B60K , IRGB4045D , IRGB4056D , IRGB4059D , IRGB4060D , IRGB4061D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2