IRGB14C40L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGB14C40L  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 370 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2800 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGB14C40L

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGB14C40L даташит

 ..1. Size:160K  international rectifier
 irgb14c40l.pdf pdf_icon

IRGB14C40L

IRGS14C40L IRGSL14C40L Ignition IGBT IRGB14C40L IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps TERMINAL DIAGRAM Collector CES = C C CE(on) R1 Gate R2 L(min)

 9.1. Size:332K  international rectifier
 irgb15b60kd.pdf pdf_icon

IRGB14C40L

PD - 95194 IRGB15B60KDPbF IRGS15B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGSL15B60KD ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. IC = 15A, TC=100 C 10 s Short Circuit Capability. Square RBSOA. G tsc > 10 s, TJ=150 C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive V

 9.2. Size:111K  international rectifier
 irgb10b60kd.pdf pdf_icon

IRGB14C40L

PD - 94925 IRGB10B60KDPbF IRGS10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGSL10B60KD ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF. IC = 12A, TC=100 C 10 s Short Circuit Capability. Square RBSOA. G Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. tsc > 10 s, TJ=150 C Positive V

Другие IGBT... IRG7PSH50UD, IRG7PSH73K10, IRG7R313U, IRG7S313U, IRG7S319U, IRG7SC12F, IRG7SC28U, IRGB10B60KD, IRG4PC50U, IRGB15B60KD, IRGB20B60PD1, IRGB30B60K, IRGB4045D, IRGB4056D, IRGB4059D, IRGB4060D, IRGB4061D