GT50Q101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT50Q101
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 180 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4(max) V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: TO264
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GT50Q101 Datasheet (PDF)
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History: IXXR110N60B4H1 | IRG4BC15MD
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