IRGB8B60K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRGB8B60K
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 167 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 28 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 38 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 29 nC
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de IRGB8B60K - IGBT
IRGB8B60K Datasheet (PDF)
irgb8b60k.pdf
PD - 94545CIRGB8B60KIRGS8B60KINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRGSL8B60KCFeaturesVCES = 600V Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. 10s Short Circuit Capability.IC = 20A, TC=100C Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Gtsc>10s, TJ=150CEVCE(on) typ. = 1.8Vn-channelBenefits Benchmark Efficiency for Motor Control
Otros transistores... IRGB4062D , IRGB4064D , IRGB4086 , IRGB4B60K , IRGB4B60KD1 , IRGB5B120KD , IRGB6B60K , IRGB6B60KD , MBQ50T65FESC , IRGI4086 , IRGI4090 , IRGIB10B60KD1 , IRGIB15B60KD1 , IRGIB6B60KD , IRGIB7B60KD , IRGP20B120UD-E , IRGP20B120U-E .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2