IRGI4086 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRGI4086
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 43 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.29 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 31 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 110 pF
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de IRGI4086 - IGBT
IRGI4086 Datasheet (PDF)
irgi4086.pdf
PD - 96223IRGI4086PbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE minl Advanced Trench IGBT Technology 300 Vl Optimized for Sustain and Energy RecoveryVCE(ON) typ. @ IC = 25A1.29 VCircuits in PDP ApplicationsIRP max @ TC= 25C A230l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor Improved Panel Efficiencyl High Repetitive Peak Current CapabilityC
irgi4090.pdf
PD - 97318AIRGI4090PbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min300 Vl Advanced Trench IGBT Technologyl Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 11A1.20 Vcircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C 140 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl Lea
Otros transistores... IRGB4064D , IRGB4086 , IRGB4B60K , IRGB4B60KD1 , IRGB5B120KD , IRGB6B60K , IRGB6B60KD , IRGB8B60K , GT30F125 , IRGI4090 , IRGIB10B60KD1 , IRGIB15B60KD1 , IRGIB6B60KD , IRGIB7B60KD , IRGP20B120UD-E , IRGP20B120U-E , IRGP20B60PD .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2