IRGI4086 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRGI4086  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 43 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.29 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 31 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 110 pF

Encapsulados: TO220F

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IRGI4086 datasheet

 ..1. Size:303K  international rectifier
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IRGI4086

PD - 96223 IRGI4086PbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min l Advanced Trench IGBT Technology 300 V l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 25A 1.29 V Circuits in PDP Applications IRP max @ TC= 25 C A 230 l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for Improved Panel Efficiency l High Repetitive Peak Current Capability C

 8.1. Size:371K  international rectifier
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IRGI4086

PD - 97318A IRGI4090PbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min 300 V l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 11A 1.20 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 140 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l Lea

Otros transistores... IRGB4064D, IRGB4086, IRGB4B60K, IRGB4B60KD1, IRGB5B120KD, IRGB6B60K, IRGB6B60KD, IRGB8B60K, IHW40T60, IRGI4090, IRGIB10B60KD1, IRGIB15B60KD1, IRGIB6B60KD, IRGIB7B60KD, IRGP20B120UD-E, IRGP20B120U-E, IRGP20B60PD