IRGI4086 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGI4086  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.29 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 31 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGI4086

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGI4086 даташит

 ..1. Size:303K  international rectifier
 irgi4086.pdf pdf_icon

IRGI4086

PD - 96223 IRGI4086PbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min l Advanced Trench IGBT Technology 300 V l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 25A 1.29 V Circuits in PDP Applications IRP max @ TC= 25 C A 230 l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for Improved Panel Efficiency l High Repetitive Peak Current Capability C

 8.1. Size:371K  international rectifier
 irgi4090.pdf pdf_icon

IRGI4086

PD - 97318A IRGI4090PbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min 300 V l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 11A 1.20 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 140 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l Lea

Другие IGBT... IRGB4064D, IRGB4086, IRGB4B60K, IRGB4B60KD1, IRGB5B120KD, IRGB6B60K, IRGB6B60KD, IRGB8B60K, IHW40T60, IRGI4090, IRGIB10B60KD1, IRGIB15B60KD1, IRGIB6B60KD, IRGIB7B60KD, IRGP20B120UD-E, IRGP20B120U-E, IRGP20B60PD