IRGI4086 - аналоги и описание IGBT

 

IRGI4086 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IRGI4086
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.29 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 31 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRGI4086

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IRGI4086

 ..1. Size:303K  international rectifier
 irgi4086.pdf pdf_icon

IRGI4086

PD - 96223 IRGI4086PbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min l Advanced Trench IGBT Technology 300 V l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 25A 1.29 V Circuits in PDP Applications IRP max @ TC= 25 C A 230 l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for Improved Panel Efficiency l High Repetitive Peak Current Capability C

 8.1. Size:371K  international rectifier
 irgi4090.pdf pdf_icon

IRGI4086

PD - 97318A IRGI4090PbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min 300 V l Advanced Trench IGBT Technology l Optimized for Sustain and Energy Recovery VCE(ON) typ. @ IC = 11A 1.20 V circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 140 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l Lea

Другие IGBT... IRGB4064D , IRGB4086 , IRGB4B60K , IRGB4B60KD1 , IRGB5B120KD , IRGB6B60K , IRGB6B60KD , IRGB8B60K , IHW40T60 , IRGI4090 , IRGIB10B60KD1 , IRGIB15B60KD1 , IRGIB6B60KD , IRGIB7B60KD , IRGP20B120UD-E , IRGP20B120U-E , IRGP20B60PD .

 

 
Back to Top

 


 
.